浙江西门子SITOP电源中国经销商

浔之漫智控技术（上海）有限公司（xzm-wqy-shqw）

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近年来，随着新型材料碳化硅（SiC）的发展，采用碳化硅制成的肖特基二极管的性能大幅度提高，其耐压已达到1200V，反向恢复特性显著优于常规的硅快恢复二极管，且漏电流很小，高耐压的碳化硅二极管正向通态压降与硅快恢复二极管基本相当。由于碳化硅二极管优良的反向恢复特性，使其在升压型PFC电路、高频整流电路等应用场合具有显著的优势。其缺点是目前的价格仍然较高。

2.2　电力MOSFET的虚线为电感电流临界连续的边界，虚线内部为电流断续区，虚线外面为电流连续区。在电流连续区，因忽略电力电子器件的通态压降和

电力MOSFET是近年来发展快的全控型电力电子器件之一。它显著的特点是用栅极电压来控制漏极电流，因此所需驱动功率小、驱动电路简单；又由于是靠多数载流子导电，没有少数载流子导电所需的存储时间，是目前开关速度快的电力电子器件，在小功率电力电子装置中应用为广泛。

2.2.1　结构和工作原理

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电力MOSFET与电子电路中应用的MOSFET类似，按导电沟道可分为P沟道和N沟道

（3）正向压降UF　指在指定温度下，流过某一指定的稳态正向电流时所对应的正向压降。正向压降越低表明其导通损耗越小。通常耐压低的二极管正向压降较低，普通整流二极管压降低于快恢复二极管。二极管的正向压降具有负温度系数，它随着温度的上升而略有下降。

（4）反向恢复电流IRP及反向恢复时间trr　由于二极管PN结中的空间电荷区存储电荷的影响，当给处于正向导通状态的二极管施加反压时，二极管不能立即转为截止状态，只有当存储电荷完全复合后，二极管才呈现高阻状态。这期间的电压电流波形见图2－5。这一过程称为二极管的反向恢复过程。反向恢复时间trr通常定义为从电流下降为零至反向电流衰减至反向恢复电流峰值的百分比（一般为10%或25%）的时间。反向恢复电流及恢复时间与正向导通时的正向电流IF以及电流下降率diF/dt密切相关。产品手册中通常给出在一定的正向电流以及电流下降率的条件下，二极管的反向恢复电流及恢复时间。图2－5中电流下降时间tF与延迟时间td的比值称为恢复特性的软度，或称恢复系数。恢复系数越大，在同样的外电路条件下造成的反向电压过冲URP越小。反向恢复电流小、恢复时间短的快速软恢复二极管是开关电源高频整流部分的理想器件。今后，低成本、结构简单、容易实现，并且具有软开关性能、高响应速度、低输出纹波的单级隔离高功率因数变换器是研究人员研究的终目标。